
了解更多
18166600150 18166600150在半导体晶圆制造过程中,超纯水中的硅污染物会引发栅极氧化层缺陷,导致芯片漏电率上升30%以上。某28nm晶圆厂的生产数据表明,超纯水中全硅含量每超标1μg/L,光刻工序良率就会下降8%。因此,借助超纯水全硅检测仪(也称硅表)实施实时监测,已成为半导体制造过程中必不可少的质量控制手段。超纯水二氧化硅检测仪能够精确检测微克级的硅污染,为晶圆制造提供关键的水质保障。
半导体行业对超纯水中全硅含量有着极为严格的要求。依据我国GB/T 11446.1-2013《电子级水》标准,电子级水分为四个级别,各级别全硅含量(以二氧化硅计)的限值如下:
|
级别 |
全硅含量限值(μg/L) |
电阻率(25℃, MΩ·cm) |
适用场景 |
|---|---|---|---|
|
EW-Ⅰ |
≤2 |
≥18 |
14nm以下先进制程清洗 |
|
EW-Ⅱ |
≤10 |
≥15 |
28-45nm制程晶圆清洗 |
|
EW-Ⅲ |
≤50 |
≥12 |
封装测试工序 |
|
EW-Ⅳ |
≤1000 |
≥0.5 |
辅助清洗工序 |
国际层面,SEMI F63标准规定12英寸晶圆制造中UPW系统终端出水的可溶性硅含量需控制在≤1μg/L,总硅含量≤2μg/L。SEMI F75标准则强调在EUV光刻等先进工艺中,胶体硅需单独检测,其浓度需控制在0.5μg/L以下。这些标准的有效实施,离不开高精度的超纯水全硅检测仪的技术支持。
超纯水中全硅的检测方法主要分为实验室分析和在线监测两大类。在实验室方法中,GB/T 11446.6-2013规定采用钼蓝分光光度法,该方法的检测限可达0.5μg/L。在线监测则主要依靠硅表(也称为硅酸根分析仪),其核心原理是利用光电比色法实时监测硅钼蓝络合物的浓度变化。采用在线超纯水二氧化硅检测仪,可将硅污染的响应时间从传统实验室检测的4小时缩短至15分钟,有效降低了批次性报废的风险。
在半导体超纯水检测领域,赢润环保的台式硅酸根检测仪ERUN-ST3-C5展现出独特的技术优势。该设备采用全自动检测流程,配备5英寸彩色触控屏,支持中英文切换显示。其核心技术参数完全满足半导体行业的需求:测量范围覆盖0-200μg/L、0-2000μg/L两档量程,示值误差±1%F.S,分辨率达0.01μg/L,支持自动清洗和参比液同步测量,适用于混床出水、EDI超纯水系统等关键工艺节点。赢润环保的这款超纯水全硅检测仪能够精准捕捉EW-Ⅰ级水的硅含量变化,为先进制程提供可靠的数据支持。

赢润环保同时推出ERUN-SZ3-C5在线硅表监测系统,该系统具备多通道选择(1-6通道),药剂用量较传统设备节省50%,分析周期仅需12分钟,采用双光路检测确保长期稳定性。作为专业的硅酸根分析仪制造商,赢润环保的在线超纯水二氧化硅检测仪还支持4-20mA标准信号输出,设备尺寸仅450×690×200mm,可灵活集成于UPW系统。某12英寸晶圆厂的应用案例显示,ERUN-ST3-C5与ERUN-SZ3-C5组成的检测方案连续运行30天测量误差≤1.5%,较传统设备降低60%维护频率,其数据循环存储功能可保留10年以上检测记录,满足半导体行业数据追溯的合规要求。

在实际操作过程中,超纯水全硅检测需要注意三个关键环节。采样容器必须使用经160℃烘干4小时的石英瓶,以避免塑料容器溶出有机硅污染样品。样品采集后需在30分钟内完成检测,防止空气中的二氧化碳与硅化合物反应生成硅酸沉淀。对于超纯水全硅检测仪的日常维护,建议每周用10μg/L的标准溶液进行校准,每季度更换反应试剂,确保设备处于最佳工作状态。超纯水硅酸根检测仪的校准流程需严格遵循制造商规范。
作为行业领先的水质监测方案提供商,赢润环保始终致力于为半导体行业提供高精度的超纯水全硅检测仪(也称硅表)。超纯水中的全硅含量控制是半导体制造的"隐形生命线",从国标到国际标准的严格限值,体现了行业对水质纯度的极致追求。随着3nm及以下制程的普及,硅表将成为晶圆厂不可或缺的质量守门人。赢润环保ERUN-ST3-C5台式硅酸根分析仪与ERUN-SZ3-C5在线硅表组成的检测方案,以其精准的检测性能和稳定的运行表现,为半导体行业提供了可靠的水质监测解决方案,而超纯水硅酸根检测仪的技术创新也将持续推动我国芯片制造产业向更高制程迈进。

