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2026.02.09
在半导体晶圆制造过程中,超纯水中的硅污染物会引发栅极氧化层缺陷,导致芯片漏电率上升30%以上。某28nm晶圆厂的生产数据表明,超纯水中全硅含量每超标1μg/L,光刻工序良率就会下降8%。因此,借助超纯水全硅检测仪和硅表实施实时监测,已成为半导体制造过程中必不可少的质量控制手段。超纯水二氧化硅检测仪能够精确检测微克级的硅污染,为晶圆制造提供关键的水质保障。
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